【会议通知】2024年第三届第三代半导体材料技术与市场研讨会

第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，有许多不可替代的优异性质，应用领域广泛，是国家重大需求和国际高科技产业竞争的关键领域之一，正处于产业化的关键窗口期。

以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。氮化镓作为宽禁带半导体的“门面”之一，随着技术的不断升级，性能被进一步开发，开始强势“破圈”，不再局限于快充等消费电子市场，而是向新能源汽车、数据中心、可再生能源等高速发展的热门领域持续推进。数据显示，2022年全球氮化镓功率器件市场规模为1.8亿美元，到2026年将有望达13.3亿美元，年均复合增长率达65%。

第三代半导体写入“十四五”规划后，市场上对该半导体的需求和要求越来越高，市场规模将持续稳定升高，行业也将在市场的催化下迭代升级，产品性能功能也将不断完善。未来，在市场规模趋势方面，我国第三代半导体行业将持续保持高速增长;在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长，GaN应用场景将进一步拓展;在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

半导体在线分别于2022年8月、2023年3月在苏州组织了第一届和第二届第三代半导体会议，与会人员累计超过1500人，并得到了与会者的一致好评。为了促进第三代半导体材料领域的相互交流与合作，半导体在线将于2024年3月28日-29日（27日签到）在苏州组织召开2024年第三届第三代半导体材料技术与市场研讨会，旨在提供协同创新的高质量交流平台，推动国内第三代半导体材料的学术研究、技术进步和产业发展。